Антава

VISHAY

Транзистор SI2366DS-T1-BE3

SI2366DS-T1-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
5.8 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI2366DS-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current5.8 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation2.1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance42 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.