Антава

VISHAY

Транзистор SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-4.5 A
Pulsed drain current
-20 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI2365EDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-4.5 A
Pulsed drain current-20 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.