Антава

VISHAY

Транзистор SI2356DS-T1-BE3

SI2356DS-T1-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
4.3 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2356DS-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current4.3 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation1.7 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.