Антава

VISHAY

Транзистор SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-5 A
Pulsed drain current
-20 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 298 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%110,10 ₽

Сумма · с НДС 22%110,10 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1110,10 ₽
от 1063,35 ₽
от 5048,19 ₽
от 10042,78 ₽
от 50032,31 ₽
от 300023,28 ₽
от 600022,74 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2347DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-5 A
Pulsed drain current-20 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance42 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.