Антава

VISHAY

Транзистор SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-5.9 A
Pulsed drain current
-25 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 597 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%179,23 ₽

Сумма · с НДС 22%179,23 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1179,23 ₽
от 10111,73 ₽
от 2594,19 ₽
от 5083,13 ₽
от 10073,79 ₽
от 50057,39 ₽
от 100052,05 ₽
от 300045,38 ₽
от 600042,71 ₽
от 900041,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2343CDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-5.9 A
Pulsed drain current-25 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance45 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.