Антава

VISHAY

Транзистор SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
8 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
30 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 663 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%156,05 ₽

Сумма · с НДС 22%156,05 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1156,05 ₽
от 10100,18 ₽
от 5069,55 ₽
от 10060,69 ₽
от 50047,01 ₽
от 100043,35 ₽
от 150041,81 ₽
от 300040,07 ₽
от 600038,72 ₽
от 1200037,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2342DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage8 V
Drain current6 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±5 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.