Антава

VISHAY

Транзистор SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
25 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 715 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%173,76 ₽

Сумма · с НДС 22%173,76 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1173,76 ₽
от 5134,42 ₽
от 1085,92 ₽
от 300046,40 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2338DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current6 A
Pulsed drain current25 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.