Антава

VISHAY

Транзистор SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-80 V
Drain current
-1.75 A
Pulsed drain current
-7 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2337DS-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-80 V
Drain current-1.75 A
Pulsed drain current-7 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.27 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.