Антава

VISHAY

Транзистор SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
4.1 A
Power dissipation
1.1 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI2336DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current4.1 A
Power dissipation1.1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance52 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23

Документация

Документ производителя