VISHAY

Транзистор SI2336DS-T1-BE3

SI2336DS-T1-BE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 4.1 A
Pulsed drain current: 20 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI2336DS-T1-BE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	4.1 A
Pulsed drain current	20 A
Power dissipation	1.8 W
Корпус	SOT23
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	42 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	5.7nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.