Антава

VISHAY

Транзистор SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-5.7 A
Pulsed drain current
-20 A
Рассеиваемая мощность
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 91 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%200,01 ₽

Сумма · с НДС 22%200,01 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1200,01 ₽
от 10124,87 ₽
от 10081,26 ₽
от 25069,73 ₽
от 50063,07 ₽
от 100058,02 ₽
от 300051,89 ₽
от 600048,83 ₽
от 900047,39 ₽
от 2100044,69 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2333CDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-5.7 A
Pulsed drain current-20 A
Рассеиваемая мощность2.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.