Антава

VISHAY

Транзистор SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-5.7 A
Pulsed drain current
-20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 13 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%216,22 ₽

Сумма · с НДС 22%216,22 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1216,22 ₽
от 10117,48 ₽
от 5096,22 ₽
от 10087,39 ₽
от 50067,57 ₽
от 100060,18 ₽
от 300057,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2333CDS-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-5.7 A
Pulsed drain current-20 A
Рассеиваемая мощность2.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.