Антава

VISHAY

Транзистор SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-8 V
Drain current
-6 A
Power dissipation
1.6 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 270 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%189,95 ₽

Сумма · с НДС 22%189,95 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1189,95 ₽
от 1089,47 ₽
от 5073,32 ₽
от 10066,67 ₽
от 25059,83 ₽
от 50058,69 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2329DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-8 V
Drain current-6 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±5 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23

Документация

Документ производителя