Антава

VISHAY

Транзистор SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-3.8A
Pulsed drain current
-20A
Power dissipation
1.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2323DDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-3.8A
Pulsed drain current-20A
Power dissipation1.1W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8V
On-state resistance68mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23

Документация

Документ производителя