Антава

VISHAY

Транзистор SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-2.4 A
Pulsed drain current
-12 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 728 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%144,73 ₽

Сумма · с НДС 22%144,73 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1144,73 ₽
от 10122,01 ₽
от 2595,08 ₽
от 10086,47 ₽
от 25075,66 ₽
от 50068,70 ₽
от 100067,78 ₽
от 300065,40 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2319DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-2.4 A
Pulsed drain current-12 A
Рассеиваемая мощность0.8 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A

Документация

Документы пока не предоставлены.