VISHAY

Транзистор SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI2319DDS-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40V
Drain current	-3.6A
Pulsed drain current	-15A
Power dissipation	1.7W
Корпус	SOT23
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	0.1Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	19nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A

Документация

Документы пока не предоставлены.