Антава

VISHAY

Транзистор SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-3.5 A
Power dissipation
1.6 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2319CDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-3.5 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance108 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23

Документация

Документ производителя