VISHAY

Транзистор SI2319CDS-T1-BE3

SI2319CDS-T1-BE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -4.4 A
Pulsed drain current: -20 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI2319CDS-T1-BE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-4.4 A
Pulsed drain current	-20 A
Рассеиваемая мощность	2.5 W
Корпус	SOT23
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	108 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	21nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.