Антава

VISHAY

Транзистор SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
2.4A
Pulsed drain current
16A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2318DS-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current2.4A
Pulsed drain current16A
Power dissipation0.75W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance58mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A

Документация

Документ производителя