Антава

VISHAY

Транзистор SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
4.5 A
Power dissipation
1.3 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2318CDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current4.5 A
Power dissipation1.3 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23

Документация

Документ производителя