Антава

VISHAY

Транзистор SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
4.5A
Pulsed drain current
20A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2316BDS-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current4.5A
Pulsed drain current20A
Power dissipation1.25W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance80mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.