VISHAY

Транзистор SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 4.9 A
Pulsed drain current: 15 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI2314EDS-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	4.9 A
Pulsed drain current	15 A
Power dissipation	1.25 W
Корпус	SOT23
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	51 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	14nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A

Документация

Документы пока не предоставлены.