Антава

VISHAY

Транзистор SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
3.9 A
Pulsed drain current
15 A
Рассеиваемая мощность
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI2312BDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current3.9 A
Pulsed drain current15 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance47 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 1.25W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.