Антава

VISHAY

Транзистор SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-1.3 A
Pulsed drain current
-8 A
Power dissipation
1.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2309CDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-1.3 A
Pulsed drain current-8 A
Power dissipation1.7 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23

Документация

Документ производителя