Антава

VISHAY

Транзистор SI2309CDS-T1-BE3

SI2309CDS-T1-BE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-1.3 A
Pulsed drain current
-8 A
Рассеиваемая мощность
1.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI2309CDS-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-1.3 A
Pulsed drain current-8 A
Рассеиваемая мощность1.7 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance345 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.