Антава

VISHAY

Транзистор SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-2.2 A
Power dissipation
1.8 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 717 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%113,32 ₽

Сумма · с НДС 22%113,32 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1113,32 ₽
от 1086,62 ₽
от 5068,37 ₽
от 10062,23 ₽
от 50051,09 ₽
от 150043,60 ₽
от 300039,56 ₽
от 600036,11 ₽
от 900034,19 ₽
от 1500032,07 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2307CDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-2.2 A
Power dissipation1.8 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance138 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23

Документация

Документ производителя