VISHAY

Транзистор SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -2.5 A
Pulsed drain current: -12 A
Power dissipation: 0.48 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI2307BDS-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-2.5 A
Pulsed drain current	-12 A
Power dissipation	0.48 W
Корпус	SOT23
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	78 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	15nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.