Антава

VISHAY

Транзистор SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI2306BDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation1.25 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.