Антава

VISHAY

Транзистор SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-8 V
Drain current
-3.5 A
Pulsed drain current
-20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 8 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%109,91 ₽

Сумма · с НДС 22%109,91 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1109,91 ₽
от 1054,78 ₽
от 2050,81 ₽
от 5045,77 ₽
от 10042,34 ₽
от 50033,88 ₽
от 100030,27 ₽
от 300025,23 ₽
от 600024,69 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2305CDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-8 V
Drain current-3.5 A
Pulsed drain current-20 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.