Антава

VISHAY

Транзистор SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.3 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%104,19 ₽

Сумма · с НДС 22%104,19 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1104,19 ₽
от 1053,89 ₽
от 5042,03 ₽
от 10037,90 ₽
от 50030,18 ₽
от 100027,30 ₽
от 150026,05 ₽
от 250024,43 ₽
от 300023,71 ₽
от 600021,74 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2304DDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.3 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23

Документация

Документ производителяДокумент производителя