Антава

VISHAY

Транзистор SI2303CDS-T1-GE3

SI2303CDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-2.7 A
Pulsed drain current
-10 A
Рассеиваемая мощность
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 28 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%145,50 ₽

Сумма · с НДС 22%145,50 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1145,50 ₽
от 1089,82 ₽
от 10057,66 ₽
от 50042,21 ₽
от 100037,00 ₽
от 300029,82 ₽
от 600026,05 ₽
от 900024,43 ₽
от 1500023,71 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2303CDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-2.7 A
Pulsed drain current-10 A
Рассеиваемая мощность1.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23

Документация

Документ производителя