VISHAY

Транзистор SI2302HDS-T1-GE3

SI2302HDS-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 2.6 A
Корпус: SOT23

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI2302HDS-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	2.6 A
Корпус	SOT23
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	57 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.6A; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.