Антава

VISHAY

Транзистор SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
2.1 A
Power dissipation
0.46 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2302DDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current2.1 A
Power dissipation0.46 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance57 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23

Документация

Документ производителя