Антава

VISHAY

Транзистор SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
2.1A
Pulsed drain current
10A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2302CDS-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current2.1A
Pulsed drain current10A
Power dissipation0.86W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8V
On-state resistance57mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 10A

Документация

Документы пока не предоставлены.