Антава

VISHAY

Транзистор SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.8 A
Pulsed drain current
-10 A
Рассеиваемая мощность
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 27 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%136,83 ₽

Сумма · с НДС 22%136,83 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1136,83 ₽
от 1055,48 ₽
от 10044,61 ₽
от 50037,49 ₽
от 100034,30 ₽
от 200031,30 ₽
от 300029,43 ₽
от 600026,24 ₽
от 900024,55 ₽
от 1500022,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2301CDS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.8 A
Pulsed drain current-10 A
Рассеиваемая мощность1.6 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance142 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23

Документация

Документ производителя