Антава

VISHAY

Транзистор SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.6 A
Pulsed drain current
15 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 569 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%126,23 ₽

Сумма · с НДС 22%126,23 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1126,23 ₽
от 1062,76 ₽
от 2556,98 ₽
от 5052,84 ₽
от 10048,69 ₽
от 25043,28 ₽
от 50039,13 ₽
от 100034,98 ₽
от 300029,03 ₽
от 900027,77 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2300DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.6 A
Pulsed drain current15 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance68 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23

Документация

Документ производителя