Антава

VISHAY

Транзистор SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3
Type of transistor
P-MOSFET x2
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-1.3A
Pulsed drain current
-3A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI1967DH-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET x2
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-1.3A
Pulsed drain current-3A
Power dissipation1.25W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±8V
On-state resistance790mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W

Документация

Документы пока не предоставлены.