VISHAY

Транзистор SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

Type of transistor: P-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12 V
Drain current: -1.3 A
Pulsed drain current: -3 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI1965DH-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12 V
Drain current	-1.3 A
Pulsed drain current	-3 A
Power dissipation	1.25 W
Корпус	SC70-6, SOT363
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	710 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	4.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W

Документация

Документы пока не предоставлены.