Антава

VISHAY

Транзистор SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
1.3 A
Pulsed drain current
4 A
Рассеиваемая мощность
0.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1922EDH-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current1.3 A
Pulsed drain current4 A
Рассеиваемая мощность0.8 W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance198 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.