Антава

VISHAY

Транзистор SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.66 A
Pulsed drain current
1 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1902DL-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.66 A
Pulsed drain current1 A
Рассеиваемая мощность0.27 W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.63 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A

Документация

Документ производителя