Антава

VISHAY

Транзистор SI1902DL-T1-E3

SI1902DL-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
0.66A
Pulsed drain current
1A
Power dissipation
0.27W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI1902DL-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current0.66A
Pulsed drain current1A
Power dissipation0.27W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±12V
On-state resistance0.63Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A; 0.27W

Документация

Документы пока не предоставлены.