Антава

VISHAY

Транзистор SI1902CDL-T1-GE3

SI1902CDL-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.9 A
Рассеиваемая мощность
0.27 W
Корпус
SC70-6, SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 590 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%110,10 ₽

Сумма · с НДС 22%110,10 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1110,10 ₽
от 583,02 ₽
от 1071,65 ₽
от 5051,98 ₽
от 10046,38 ₽
от 50037,18 ₽
от 100033,57 ₽
от 300029,78 ₽
от 900026,89 ₽
от 2400025,09 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI1902CDL-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.9 A
Рассеиваемая мощность0.27 W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.235 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363

Документация

Документы пока не предоставлены.