Антава

VISHAY

Транзистор SI1553CDL-T1-GE3

SI1553CDL-T1-GE3
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20/-20 V
Drain current
0.7/-0.5 A
Power dissipation
0.34 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI1553CDL-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20/-20 V
Drain current0.7/-0.5 A
Power dissipation0.34 W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance1.35/1.13 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3/1.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 0.7/-0.5A

Документация

Документы пока не предоставлены.