Антава

VISHAY

Транзистор SI1480BDH-T1-GE3

SI1480BDH-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2.38 A
Рассеиваемая мощность
2.6 W
Корпус
SC70-6, SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1480BDH-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2.38 A
Рассеиваемая мощность2.6 W
КорпусSC70-6, SOT363
On-state resistance212 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.38A; 2.6W; SC70-6,SOT363

Документация

Документы пока не предоставлены.