VISHAY

Транзистор SI1467DH-T1-GE3

SI1467DH-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -2.7 A
Pulsed drain current: -8 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI1467DH-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-2.7 A
Pulsed drain current	-8 A
Рассеиваемая мощность	2.78 W
Корпус	SC70-6, SOT363
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	0.15 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	13.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -8A

Документация

Документы пока не предоставлены.