Антава

VISHAY

Транзистор SI1443EDH-T1-GE3

SI1443EDH-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-4 A
Pulsed drain current
-15 A
Power dissipation
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%147,03 ₽

Сумма · с НДС 22%147,03 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1147,03 ₽
от 593,18 ₽
от 1083,25 ₽
от 5065,11 ₽
от 10059,00 ₽
от 50046,40 ₽
от 300035,90 ₽
от 600032,27 ₽
от 900031,70 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI1443EDH-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-4 A
Pulsed drain current-15 A
Power dissipation1.8 W
КорпусSC70, SOT323
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance54 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.