VISHAY

Транзистор SI1416EDH-T1-BE3

SI1416EDH-T1-BE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 3.9 A
Pulsed drain current: 15 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI1416EDH-T1-BE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	3.9 A
Pulsed drain current	15 A
Рассеиваемая мощность	1.56 W
Корпус	SC70, SOT323
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	47 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7.5nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.9A; Idm: 15A

Документация

Документы пока не предоставлены.