Антава

VISHAY

Транзистор SI1411DH-T1-GE3

SI1411DH-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150 V
Drain current
-0.38 A
Рассеиваемая мощность
0.81 W
Корпус
SC70-6, SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1411DH-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150 V
Drain current-0.38 A
Рассеиваемая мощность0.81 W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.38A; 0.81W

Документация

Документ производителя