Антава

VISHAY

Транзистор SI1401EDH-T1-GE3

SI1401EDH-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-4 A
Pulsed drain current
-25 A
Power dissipation
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1401EDH-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-4 A
Pulsed drain current-25 A
Power dissipation1.8 W
КорпусSC70, SOT323
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance34 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.8W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.