VISHAY
Транзистор SI1317DL-T1-GE3
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -1.4 A
- Pulsed drain current
- -6 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.5 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 500 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%116,56 ₽
Сумма · с НДС 22%116,56 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 116,56 ₽ | |
| от 10 | 82,67 ₽ | |
| от 50 | 54,69 ₽ | |
| от 100 | 45,55 ₽ | |
| от 500 | 31,02 ₽ | |
| от 3000 | 27,26 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SI1317DL-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -1.4 A |
| Pulsed drain current | -6 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.5 W |
| Корпус | SC70, SOT323 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 0.27 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 6.5nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.5W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.